離子源

OIS-Four

OIS-Four是光馳(chi)自行開(kai)發的(de)(de)離子(zi)輔助蒸(zheng)度(du)高性能射頻（RF）離子(zi)源，適于在(zai)高速率下的(de)(de)離子(zi)束輔助沉積(ji)（IAD）及清洗。柵網口(kou)徑雖然(ran)只有10CM，但是設計上充分考(kao)慮到高電流密(mi)度(du)，均一性，搭載在(zai)光馳(chi)的(de)(de)成膜(mo)設備(bei)OTFC-600,OTFC-900進行工件架的(de)(de)全面照(zhao)射，適于各種光學濾光片的(de)(de)中規模量產，試制，研究開(kai)發。

特征
同使用燈絲型的離子源比(bi)較，壽命(ming)長，污染(ran)少(shao)。
高離子電流密度和均勻分布，照射面積能達到Ф800mm以上(shang)
動作安定性高，能長時間運轉
規格
尺寸 φ 224mm ×143mm (H)
柵網尺(chi)寸(cun) Ф 10cm(Molybdenum制(zhi)3枚)
離子束(shu)電壓(ya) 100V～1500V
離子束電流 500mA(max)
Acc電壓(ya) 100V～1000V
RF功(gong)率 600W(max)
氣體流量 25sccm～35sccm（氬氣）10sccm～20sccm（氬氣）
使用壓力 5.0 ×10-2 Pa
水(shui)冷(leng)方式 RF線圈和本體
中和器規格
尺寸 φ 6cm × 8cm
發射電流(liu) 1500mA(max)
RF功率 150W(max)
氣體流量(liang) 5sccm～8sccm（氬氣）