離子源

OIS-One/OIS-Two/OIS-Two Plus

17cm RF Ion Source

OIS-One是(shi)光(guang)(guang)馳(chi)自(zi)行開發(fa)的離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)輔(fu)助蒸(zheng)度高性(xing)能射頻（RF）離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)源，適(shi)應于在(zai)(zai)高速(su)率下的離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)束(shu)輔(fu)助沉積(ji)（IAD）及(ji)清洗(xi)。搭載(zai)在(zai)(zai)光(guang)(guang)馳(chi)的成膜(mo)設備OTFC-1100,OTFC-1300上(shang)適(shi)于各種(zhong)光(guang)(guang)學濾(lv)(lv)光(guang)(guang)片的中規模量產(chan)。 OIS-Two Plus是(shi)OIS-Two的延(yan)伸機型。在(zai)(zai)離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)輔(fu)助蒸(zheng)鍍大電流(liu)大面積(ji)的性(xing)能方(fang)面加以進化的RF離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)源，維護(hu)性(xing)能的優化及(ji)中和器的改良，提高冷卻(que)效(xiao)率來達(da)到穩定(ding)生(sheng)產(chan)的效(xiao)果。適(shi)用(yong)于在(zai)(zai)高速(su)率下離(li)(li)子(zi)(zi)(zi)束(shu)輔(fu)助沉積(ji)（ＩＡＤ）及(ji)清洗(xi)。搭載(zai)在(zai)(zai)光(guang)(guang)馳(chi)的ＯＴＦＣ-1300，ＯＴＦＣ-1550成膜(mo)設備上(shang)可適(shi)合于各種(zhong)光(guang)(guang)學濾(lv)(lv)光(guang)(guang)片的大規模量產(chan)。

特征
同使用(yong)燈(deng)絲(si)型的離子源比較，壽命長，污(wu)染少。
高離子電流密度和均勻分(fen)布(bu)，照射(she)面積能達(da)到Ф1150mm以上
動作安定性高(gao)，能(neng)長時間運轉
規格
型號(hao) OIS-One OIS-Two OIS-Two Plus
尺寸 φ300mm × 150mm (H)
柵網尺寸 Ф 17cm(Molybdenum制(zhi)3枚)
離子束(shu)電壓 100V～1500V
離子束電流 1000mA 1200mA
Acc電壓 100V～1000V
RF功率 600W 750W 1000W
氣體流(liu)量 20sccm～30sccm（氬氣）40sccm～60sccm（氧氣）
使用壓力 5 × 10-2 Pa
水冷方式 RF線圈和本體
中和器規格
尺(chi)寸 φ 6cm × 8cm