離子源

OIS-One/OIS-Two/OIS-Two Plus

17cm RF Ion Source

OIS-One是光(guang)(guang)馳自行開(kai)發的(de)(de)(de)(de)離(li)(li)(li)子輔(fu)(fu)助(zhu)(zhu)蒸(zheng)度高(gao)性(xing)能射頻(pin)（RF）離(li)(li)(li)子源，適應于(yu)在(zai)(zai)(zai)高(gao)速率(lv)下(xia)的(de)(de)(de)(de)離(li)(li)(li)子束輔(fu)(fu)助(zhu)(zhu)沉(chen)積(ji)（IAD）及(ji)清(qing)洗。搭(da)載在(zai)(zai)(zai)光(guang)(guang)馳的(de)(de)(de)(de)成膜設(she)備OTFC-1100,OTFC-1300上適于(yu)各種(zhong)光(guang)(guang)學(xue)(xue)濾光(guang)(guang)片的(de)(de)(de)(de)中規模量(liang)產(chan)。 OIS-Two Plus是OIS-Two的(de)(de)(de)(de)延伸機型(xing)。在(zai)(zai)(zai)離(li)(li)(li)子輔(fu)(fu)助(zhu)(zhu)蒸(zheng)鍍大(da)電流大(da)面積(ji)的(de)(de)(de)(de)性(xing)能方面加以進化(hua)的(de)(de)(de)(de)RF離(li)(li)(li)子源，維護性(xing)能的(de)(de)(de)(de)優(you)化(hua)及(ji)中和器的(de)(de)(de)(de)改良，提高(gao)冷卻效率(lv)來(lai)達到穩(wen)定生產(chan)的(de)(de)(de)(de)效果(guo)。適用于(yu)在(zai)(zai)(zai)高(gao)速率(lv)下(xia)離(li)(li)(li)子束輔(fu)(fu)助(zhu)(zhu)沉(chen)積(ji)（ＩＡＤ）及(ji)清(qing)洗。搭(da)載在(zai)(zai)(zai)光(guang)(guang)馳的(de)(de)(de)(de)ＯＴＦＣ-1300，ＯＴＦＣ-1550成膜設(she)備上可適合于(yu)各種(zhong)光(guang)(guang)學(xue)(xue)濾光(guang)(guang)片的(de)(de)(de)(de)大(da)規模量(liang)產(chan)。

特征
同使用燈(deng)絲型的離子(zi)源比較，壽(shou)命長，污染少。
高離(li)子電流密度和均勻分布(bu)，照射面積能(neng)達到(dao)Ф1150mm以(yi)上
動作安定性高，能長(chang)時間運轉
規格
型號 OIS-One OIS-Two OIS-Two Plus
尺寸 φ300mm × 150mm (H)
柵網尺寸(cun) Ф 17cm(Molybdenum制3枚)
離子(zi)束電壓 100V～1500V
離子束(shu)電流 1000mA 1200mA
Acc電(dian)壓 100V～1000V
RF功率 600W 750W 1000W
氣體流量 20sccm～30sccm（氬氣）40sccm～60sccm（氧氣）
使用壓力(li) 5 × 10-2 Pa
水冷方式 RF線圈和本(ben)體
中和器規格
尺(chi)寸 φ 6cm × 8cm