離子源

OIS-One/OIS-Two/OIS-Two Plus

17cm RF Ion Source

OIS-One是光(guang)(guang)馳(chi)(chi)自(zi)行開(kai)發的(de)(de)離(li)子輔(fu)(fu)(fu)助(zhu)蒸(zheng)度高(gao)性(xing)能(neng)射頻（RF）離(li)子源，適應于(yu)在(zai)(zai)高(gao)速率下(xia)的(de)(de)離(li)子束(shu)輔(fu)(fu)(fu)助(zhu)沉積(ji)（IAD）及清洗(xi)。搭載(zai)在(zai)(zai)光(guang)(guang)馳(chi)(chi)的(de)(de)成膜(mo)設備(bei)OTFC-1100,OTFC-1300上適于(yu)各種光(guang)(guang)學濾(lv)光(guang)(guang)片的(de)(de)中(zhong)規模(mo)量產(chan)。 OIS-Two Plus是OIS-Two的(de)(de)延伸機型。在(zai)(zai)離(li)子輔(fu)(fu)(fu)助(zhu)蒸(zheng)鍍大(da)電(dian)流大(da)面積(ji)的(de)(de)性(xing)能(neng)方面加(jia)以進化的(de)(de)RF離(li)子源，維(wei)護性(xing)能(neng)的(de)(de)優化及中(zhong)和器(qi)的(de)(de)改良，提高(gao)冷卻效(xiao)率來達(da)到穩(wen)定生產(chan)的(de)(de)效(xiao)果(guo)。適用于(yu)在(zai)(zai)高(gao)速率下(xia)離(li)子束(shu)輔(fu)(fu)(fu)助(zhu)沉積(ji)（ＩＡＤ）及清洗(xi)。搭載(zai)在(zai)(zai)光(guang)(guang)馳(chi)(chi)的(de)(de)ＯＴＦＣ-1300，ＯＴＦＣ-1550成膜(mo)設備(bei)上可(ke)適合于(yu)各種光(guang)(guang)學濾(lv)光(guang)(guang)片的(de)(de)大(da)規模(mo)量產(chan)。

特征
同使用(yong)燈絲型的(de)離子源比(bi)較，壽(shou)命長，污染少。
高(gao)離子電流密度(du)和均勻分布，照(zhao)射面積能達(da)到Ф1150mm以上
動(dong)作安(an)定性高，能(neng)長時間運轉
規格
型號 OIS-One OIS-Two OIS-Two Plus
尺寸 φ300mm × 150mm (H)
柵(zha)網尺寸 Ф 17cm(Molybdenum制3枚(mei))
離子束電壓(ya) 100V～1500V
離子束電(dian)流 1000mA 1200mA
Acc電壓 100V～1000V
RF功率(lv) 600W 750W 1000W
氣體流(liu)量(liang) 20sccm～30sccm（氬氣）40sccm～60sccm（氧氣）
使(shi)用壓力(li) 5 × 10-2 Pa
水冷方式 RF線圈和(he)本體
中和器規格
尺寸 φ 6cm × 8cm